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三星电子研发出的DRAM芯片:10纳米级

发布时间: 2017/12/21 9:34:24 | 513 次阅读

12月20日消息,据路透社报道,三星电子周三表示,它已开发出世界上的DRAM芯片(即动态随机存取存储器,为常见的系统内存)。在半导体业务推动下,三星电子将在2017年实现创纪录的营业利润,从而扩大其技术地位。

三星在一份声明中表示,“第二代”10纳米级、8千兆比特的DRAM芯片,其能源效率和数据处理性能将提高,会面向高端数据处理电子产品,如云计算中心、移动设备和高速显卡。

三星电子表示,公司将在2018年会将大部分现有DRAM的生产力转移到10纳米芯片上。

三星电子存储业务总裁Gyoyoung Jin表示,这种“积极”的生产扩张将“适应强劲的市场需求”。

今年10月底,三星在其三大业务领域(包括半导体)任命了新一代的管理人员,但这家韩国公司表示,它并不打算立即扩大芯片发货量,而是在蓄力以保持长期市场地位。